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长江存储"4F平方"DRAM技术突破美制封锁
- 1 minutes read - 9 words在全球半导体竞争态势日趋严峻的背景下，中国科技企业展现出惊人的应变能力。美国针对先进制程设备的严格管制，并未阻挡CXMT研发的脚步。通过对存储单元结构的重新设计，在传统4F（即存储单元中字线长度是栅极宽度4倍）架构基础上开发出”三维立体结构（4F Square）”方案。这一创新解决了EUV技术受限的问题，使企业能够继续在先进制造中占据立足点。
业内专家分析指出，CXMT的4F平方DRAM方案通过改变存储单元内部元件排列方式，创新性地实现了三维存储，不仅提高了数据密度（提升18%），而且解决了散热、制程控制等传统存储器面临的难题。通过改变存储单元物理结构，使得存储节点尺寸达到EUV技术限制的临界值以下，企业得以在不依赖最尖端技术的情况下完成制程跃迁，实现在现有DUV制程下研发11纳米级DRAM产品的目标。
这一技术突进将直接影响未来几年服务器内存市场竞争格局。专家认为，这项技术如果能够如期商用，不仅让CXMT在全球内存产业格局中占据更重要的位置，也将重新定义中美半导体竞争的维度。随着AI时代对超高速、大容量内存需求的激增，DRAM不再是单纯的竞争领域，而成为各国科技博弈的新焦点。长江存储的突破或许标志着一个全新阶段的开始——以创新架构替代依赖设备技术路径，为中国在高价值存储芯片领域争取更有利的竞争位置。随着更多企业的跟进，这场基于DUV的技术革新，将重构全球半导体制造的底层逻辑。
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